Samsung 990 EVO Plus 1TB MZ-V9S1T0B-IT/EC
この商品、買うべき?
Samsungの信頼性とPCIe Gen4.0の高速性を兼ね備えた高性能NVMe SSDです。最大読み出し7,150MB/秒、書き込み6,300MB/秒の転送速度は、ゲームのロード時間短縮や大容量ファイルの高速処理に大きく貢献します。TLC NAND採用で耐久性も高く、600TBWの書き込み耐性と5年保証が付帯しており、長期間安心して使用できます。上位モデルの990 PROと比較するとシーケンシャル速度は若干劣りますが、実用上十分な性能であり、価格帯(1TBで約8,980円)を考慮すると非常にコストパフォーマンスに優れています。ゲーミングPCやクリエイティブ用途など、高速ストレージを求めるユーザーに最適です。
おすすめポイント
- PCIe Gen 4.0 x4対応による高速な読み書き速度
- Samsungブランドの高い信頼性と品質
- TLC NAND採用による優れた耐久性
- 5年保証と600TBWの十分な書き込み耐性
購入前の注意点
- PC本体およびマザーボードがPCIe Gen 4.0 x4またはPCIe 5.0 x2インターフェースに対応しているか確認してください。
- 長時間の高負荷使用時は、適切な冷却(ヒートシンクなど)を推奨します。
- SSDのファームウェアは、Samsung Magicianソフトウェアを使用して最新の状態に保つことを推奨します。
- 保証は新品の国内正規品のみが対象となります。
あなたに合っている?
こんな人におすすめ
- 最新ゲームをプレイし、ロード時間を短縮したいゲーマー
- 動画編集や写真編集など、大容量ファイルの高速な読み書きが必要なクリエイター
- PCの起動やアプリケーションの応答速度を向上させたいユーザー
- 信頼性の高いブランドの高性能SSDを求めるユーザー
こんな人には不向き
- 予算を最優先し、基本的なSSD機能があれば十分なユーザー
- PCIe Gen 4.0インターフェースに対応していない古い世代のPCを使用しているユーザー
- SSDの速度よりも、容量単価を重視するユーザー
- データアーカイブ用途など、書き込み頻度が極めて低いユーザー
おすすめの利用シーン
- 最新ゲームのロード時間短縮
- 高解像度動画編集・レンダリング
- OSおよびアプリケーションの高速起動
不向きな利用シーン
- データアーカイブやバックアップ用途(書き換え頻度が低い場合)
- PCIe Gen 3.0以下のインターフェースしか搭載していないPCでの利用(性能を最大限に活かせないため)
- 価格を最優先し、性能よりも容量を重視する場合
評価の詳細
4位Samsung 990 EVO Plusは、最大読み出し7,150MB/秒、書き込み6,300MB/秒というPCIe Gen 4.0 SSDの中でも非常に高速なシーケンシャル転送速度を実現しています。これは、OSの起動、アプリケーションのロード、大容量ファイルのコピーといった日常的な作業を劇的に快適にするだけでなく、ゲームのロード時間短縮や動画編集などのクリエイティブ作業においても、ストレスのないスムーズな体験を提供します。ランダム性能も高く、多数の小さなファイルを扱う際の応答性も優れています。この速度は、現行のPCIe Gen4インターフェースのポテンシャルを最大限に引き出すレベルであり、多くのユーザーにとって十分以上のパフォーマンスを発揮します。
Samsung 990 EVO Plus 1TBモデルは、600TBWという非常に高い総書き込み容量(TBW)を備えています。これは、1TBのSSDとしてはトップクラスの耐久性であり、毎日数十GBのデータを書き込むようなヘビーユーザーであっても、数年以上にわたって安心して使用できることを意味します。ゲームの頻繁なインストール・アンインストール、動画編集、大量のデータ処理など、書き込み負荷の高い作業を日常的に行うユーザーにとって、この高いTBW値はSSDの寿命に対する大きな安心材料となります。長期的な信頼性を重視するユーザーにとって、非常に魅力的なポイントです。
Samsung 990 EVO Plusは、高性能と耐久性のバランスに優れたTLC NANDフラッシュを採用しています。TLC NANDは、1セルあたり3ビットのデータを記録することで、QLC NANDに比べて高速な書き込み速度と優れた耐久性を実現しており、SSDの全体的なパフォーマンスと寿命を向上させます。Samsungは自社でNANDフラッシュメモリを開発・製造する数少ないメーカーの一つであり、その高度な技術力と品質管理により、信頼性の高いコントローラーとの組み合わせで、SSDの性能を最大限に引き出しています。この組み合わせは、ヘビーユースにも耐えうる堅牢なストレージソリューションを提供します。
Samsung 990 EVO Plusは、SSDのパフォーマンスと応答性を向上させるためのDRAMキャッシュを搭載しています。DRAMキャッシュは、SSDコントローラーがNANDフラッシュメモリ上のデータ配置を効率的に管理し、頻繁なアクセスやデータ転送を高速化するために不可欠な役割を果たします。これにより、OSの起動、アプリケーションのロード、ゲームのプレイ、そして多数の小さなファイルを同時に読み書きするランダムアクセス性能が大幅に向上し、システム全体の体感速度が向上します。DRAMキャッシュ非搭載(DRAM-less)のSSDと比較して、よりスムーズで安定したパフォーマンスを提供します。
Samsung 990 EVO Plusは、最新のPCIe Gen 4.0 x4インターフェースに対応しており、NVMe 2.0規格もサポートしています。これにより、従来のPCIe Gen 3.0 SSDと比較して理論上約2倍の帯域幅を活用でき、最大読み出し7,150MB/秒という驚異的な速度を実現します。さらに、PCIe 5.0 x2にも対応しているため、将来的な互換性や、一部の最新プラットフォームでの利用も視野に入れた設計となっています。お使いのPCのマザーボードがPCIe Gen 4.0以上に対応していれば、その高速性能を最大限に引き出すことができ、PC全体のパフォーマンスを飛躍的に向上させます。
Samsungは、SSDおよびNANDフラッシュメモリ分野における世界的なリーディングカンパニーであり、そのブランドの信頼性は非常に高いです。本製品には5年間の限定保証が付帯しており、これはSSD製品としては標準的かつ十分な長さです。万が一の故障や不具合が発生した場合でも、長期間にわたって安心してサポートを受けることができます。信頼できるメーカーの製品であることと、充実した保証期間は、SSDのような基幹部品を選ぶ上で非常に重要な要素であり、ユーザーに長期的な安心感を提供します。
Samsung 990 EVO Plusは、高性能を発揮するNVMe SSDであるため、動作中に発熱が発生します。本製品にはヒートシンクが標準で付属していませんが、多くのマザーボードやPCケースにはM.2スロット用のヒートシンクが搭載されているか、別途増設が可能です。長時間の高負荷作業(ゲームプレイ、動画編集など)を行う場合は、サーマルスロットリング(過熱による性能低下)を防ぐために、PCケース内のエアフローを改善したり、別途M.2用ヒートシンクを取り付けたりするなどの冷却対策を講じることを推奨します。適切な冷却を行うことで、SSDの性能を安定して維持できます。
Samsung 990 EVO Plus 1TBは、約8,980円という価格でありながら、PCIe Gen 4.0 SSDとして非常に高い読み書き速度(最大7,150MB/秒)と、600TBWという優れた耐久性を実現しています。これは、最上位クラスのSSDと比較しても遜色ない、あるいは一部性能で上回るレベルでありながら、価格は約60%と非常に競争力があります。ゲーミング、クリエイティブ作業、日常的なPC作業など、幅広い用途でその高速性能を実感でき、価格以上の価値を提供します。コストパフォーマンスを重視しつつも、妥協のない性能を求めるユーザーにとって、最適な選択肢と言えるでしょう。
商品概要
Samsung 990 EVO Plus 1TB (MZ-V9S1T0B-IT/EC) は、PCIe Gen 4.0 x4インターフェースに対応したNVMe M.2 SSDです。最大読み出し速度7,150MB/秒、書き込み速度6,300MB/秒という驚異的なパフォーマンスを発揮し、ランダム性能も読出850,000 IOPS、書込1,350,000 IOPSと非常に高いレベルにあります。最新のTLC NANDフラッシュを採用し、Intelligent Turbo Write 2.0テクノロジーにより、大量のデータ転送や重いグラフィックス処理もスムーズに行えます。ニッケルコーティングされたコントローラーは電力効率を73%改善し、発熱を抑えながらパフォーマンスを最適化します。M.2 2280フォームファクタで、ノートパソコンやデスクトップPCへの内蔵に適しています。5年間の限定保証と600TBWの耐久性も備えています。Samsung Magicianソフトウェアを使えば、SSDの管理やファームウェアアップデートも簡単に行えます。
機能一覧
Samsung 990 EVO Plusは、予期せぬ電源断が発生した場合でも、SSDへの書き込み中のデータを保護し、破損を防ぐための高度なデータ保護機能を搭載しています。これにより、作業中のデータ損失リスクを最小限に抑え、重要なファイルの安全性を高めます。特に、長時間のデータ転送やシステム作業中に電源が落ちるリスクがある場合に役立ち、安心してPCをご利用いただくための重要な機能です。
Samsung 990 EVO Plusは、SSDに保存される全てのデータを、専用のハードウェア回路を用いて自動的に強力なAES 256ビット暗号化で保護します。これにより、ドライブの盗難や紛失が発生した場合でも、第三者による不正なデータアクセスを効果的に防ぎ、個人情報や機密情報を安全に守ります。Samsung Magicianソフトウェアを通じて、この暗号化機能を管理し、セキュアなデータ管理を実現できます。
Samsung 990 EVO Plusは、SSDが高負荷時に発生する発熱を管理し、過度な温度上昇を防ぐための高度な温度管理機能を備えています。過熱を検知すると、自動的にパフォーマンスを調整し、SSDを保護します。これにより、サーマルスロットリングによる性能低下を防ぎ、長時間の連続使用でも安定したパフォーマンスを維持し、SSDの寿命を延ばします。ニッケルコーティングされたコントローラーによる効率的な熱制御が、この機能の実現に貢献しています。
本製品はSSDコントローラーとNANDフラッシュ間のデータ転送を効率化するDRAMキャッシュを搭載しているため、ホストメモリバッファ(HMB)機能は搭載していません。DRAMキャッシュは、SSDのランダムアクセス性能や長時間の高負荷時における安定性を大幅に向上させる役割を果たします。これにより、OSやアプリケーションの応答性が高まり、マルチタスク時でもスムーズな操作感を提供します。DRAMキャッシュ搭載モデルは、一般的にHMBモデルよりも高性能です。
Samsung 990 EVO Plusは、連続した大容量データの読み書きにおいても、性能の急激な低下を防ぎ、高いレベルのパフォーマンスを維持するように設計されています。Intelligent Turbo Write 2.0テクノロジーなどの最適化により、長時間のゲームプレイ、4K/8K動画編集、大規模なデータセットの処理など、SSDに継続的な負荷がかかる状況でも、安定した転送速度を提供し、作業効率を損ないません。これにより、ユーザーはパフォーマンスの低下を気にすることなく、快適に作業を続けることができます。
商品スペック
| 最大シーケンシャル読み出し速度 | 7150MB/秒 |
|---|---|
| 最大シーケンシャル書き込み速度 | 6300MB/秒 |
| 最大ランダム読み出し性能 | 850000IOPS |
| 最大ランダム書き込み性能 | 1350000IOPS |
| インターフェース | PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2, NVMe 2.0 |
| フォームファクタ | M.2 2280 |
| NANDタイプ | TLC |
| 保証期間 | 5年 |
| 総書き込み容量 | 600TBW |
| デジタルストレージ容量 | 1TB |
| 重量 | 9g |
| 製品サイズ | 8.02 x 2.21 x 0.24cm |
| 商品モデル番号 | MZ-V9S1T0B-IT/EC |
サイズ・重量
ブランド・メーカー
SamsungSamsungは、NANDフラッシュメモリ技術の世界的リーダーであり、革新的なストレージソリューションを提供しています。990 EVO Plusシリーズは、最新のNANDフラッシュメモリと高度なコントローラー技術を組み合わせ、高速なデータ転送速度と優れた電力効率を実現しています。
よくある質問(Q&A)
Q.このSSDの読み書き速度はどのくらいですか?
Q.Samsung製SSDの信頼性について、スタッフの確認はどうでしたか?
Q.NVMe 2.0やPCIe Gen 5.0 x2といった最新インターフェースに対応していますか?また、どのようなデバイスに組み込めますか?
Q.長時間の使用でも、発熱や電力消費は気になりますか?
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| 読み書き速度 | 7300 / 6900 MB/s | 耐久性 (TBW - 総書き込み容量) | 5100 TBW |
| インターフェース | PCIe Gen4 x4 | フォームファクタ | M.2 2280 |
| 容量 | 1 TB | 保証期間 | 5 年 |
| データ復旧サービス | 3 年間 |
Samsung 990 EVO Plus 1TBは、PCIe Gen 4.0 x4インターフェースに対応した高性能NVMe M.2 SSDです。最大読み出し7,150MB/秒、書き込み6,300MB/秒の高速転送を実現し、TLC NANDフラッシュを採用しています。M.2 2280フォームファクタで、ノートパソコンやデスクトップPCに内蔵可能です。
| 最大シーケンシャル読み出し速度 | 7150 MB/秒 | 最大シーケンシャル書き込み速度 | 6300 MB/秒 |
| 最大ランダム読み出し性能 | 850000 IOPS | 最大ランダム書き込み性能 | 1350000 IOPS |
| インターフェース | PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2, NVMe 2.0 | フォームファクタ | M.2 2280 |
| NANDタイプ | TLC | 保証期間 | 5 年 |
| 総書き込み容量 | 600 TBW | デジタルストレージ容量 | 1 TB |
| 重量 | 9 g | 製品サイズ | 8.02 x 2.21 x 0.24 cm |
| 商品モデル番号 | MZ-V9S1T0B-IT/EC |
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| 容量 | 1 TB | インターフェース | NVMe |
| ブランド | Acer | フォームファクタ | M.2 2280 |
| 製品サイズ | 8 x 0.9 x 2.3 cm | 重量 | 40.8 g |
| モデル番号 | GM7000HS-1TB | 耐久性 | 750 TBW |
| 最大読込速度 | 7400 MB/s | 最大書込速度 | 6700 MB/s |
| インターフェース規格 | PCIe Gen4.0 x4 | ヒートシンク | 搭載 |
| DRAMキャッシュ | 搭載 |









