
サムスン(SAMSUNG) SSD 1TB 970 EVO M.2 MZ-V7E1T0B/EC
の評価
商品概要
SamsungのNVMe M.2 SSD、970 EVOシリーズの1TBモデルです。フォームファクタはM.2 Type 2280、インターフェースはPCIe Gen3x4 NVMe 1.3を採用しています。Samsung独自のPhoenixコントローラとV-NANDフラッシュ、Intelligent TurboWriteテクノロジーを搭載し、最大読み出し3,400MB/s、書き込み2,500MB/sというPCIe Gen3 SSDとしては非常に高速なシーケンシャル性能を実現しています。耐久性はTBW 600TB、保証期間は5年と長く、安心して使用できます。OSの起動やゲームのロード速度向上、大容量ファイルの効率的な処理など、幅広い用途で快適なPC環境を提供します。スタッフ評価も概ね好評で、Gen3環境でのストレージ高速化に優れたコストパフォーマンスを発揮する製品です。
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商品スペック
サイズ・重量
機能一覧
SSDの温度が上がりすぎると、性能が低下したり故障の原因になることがあります。この機能は、SSD内部の温度を監視し、温度が一定以上になると自動的に速度を調整して、SSDを熱から保護します。これにより、SSDを長く安心して使い続けることができます。
本製品には温度監視機能が搭載されており、SSD内部の温度をリアルタイムで監視しています。これにより、過度な温度上昇が検出された場合には、自動的に性能を調整するサーマルスロットリング機能が働き、SSDを熱から保護します。特に高性能なNVMe SSDは発熱しやすい傾向にあるため、この機能は製品の安定動作と長寿命化に不可欠です。温度情報はSamsung Magicianソフトウェアなどで確認することも可能です。これにより、ユーザーはSSDの状態を把握し、必要に応じて冷却対策を講じることができます。適切な温度管理は、常に最高のパフォーマンスを発揮するために重要です。
SSDには、データの読み書きを行うための領域が限られています。この機能は、SSD内のデータが均等に書き込まれるように制御することで、特定の場所に負担がかかるのを防ぎ、SSD全体の寿命を長く保ちます。これにより、SSDをより長く安心して使うことができます。
SSDに使用されているNANDフラッシュメモリには書き換え回数に上限があり、特定のセルばかりにデータを書き込むと、その部分が早く劣化してしまい、SSD全体の寿命を縮める原因となります。ウェアレベリング機能は、データをSSD全体に均等に分散して書き込むように制御する技術です。これにより、特定の領域に負荷が集中するのを防ぎ、SSD全体のセルをバランス良く使うことで、製品の寿命を最大限に延ばします。本製品にもこの機能が搭載されており、日々のデータの書き込みによって発生する摩耗を平均化し、長期間にわたって安定して使用できるように設計されています。
パソコンの電源が急に切れたり、不意なシステムエラーが発生した場合、書き込み中のデータが破損することがあります。この機能は、書き込み中のデータを一時的に保護し、不意な電源断やシステムエラーが発生しても、データ破損のリスクを低減します。これにより、大切なデータを守ることができます。
SSDにおけるデータ保護機能は、データの信頼性を高め、不意の電源断やエラー発生時にデータが破損するリスクを低減するためのものです。本製品には、ECC(エラー訂正コード)機能などが搭載されており、データの読み書き時に発生する微細なエラーを検出し、自動的に修正します。また、書き込みキャッシュ技術なども活用することで、書き込み中のデータを一時的に保護し、システムが予期せずシャットダウンした場合でもデータの整合性を保つよう努めます。これらの機能により、ユーザーは大切なデータを安全に保存し、安心して利用することができます。データの損失は深刻な問題につながるため、これらの保護機能はSSDにとって非常に重要です。
SSDは、使用しているうちに書き込み速度が低下することがあります。この機能は、使用されていない領域を整理し、SSDの性能を維持します。これにより、SSDの書き込み速度の低下を抑え、快適な動作を維持することができます。
SSDの内部では、データが削除された後も、その領域はすぐに再利用可能な「空き領域」にはなりません。古い無効なデータが残った状態になります。ガベージコレクション機能は、SSDのコントローラがバックグラウンドで自動的に実行する処理で、これらの無効なデータを含むブロックから有効なデータだけを新しいブロックに移動させ、古いブロックを完全に消去して再利用可能な状態にする役割を担います。この処理を効率的に行うことで、書き込み速度の低下を防ぎ、SSDのパフォーマンスを持続的に維持します。本製品にもこの機能が搭載されており、使用していくうちにSSDの速度が極端に遅くなるのを抑制し、快適な使用感を保ちます。
SSDに保存されたデータは、読み取り時にエラーが発生することがあります。この機能は、読み取りエラーを自動的に検出し、データを修正します。これにより、データ破損によるトラブルを防ぎ、安心してデータを利用できます。
NANDフラッシュメモリはデータの読み書き時に微細なエラーが発生することが避けられません。エラー訂正機能(ECC: Error Correction Codeなど)は、これらのエラーを検出し、可能であれば自動的に修正するための技術です。本製品に搭載されている高性能なエラー訂正機能により、データの正確性が保たれ、保存された情報が破損するリスクを低減します。これにより、ユーザーはSSDに保存したデータが時間の経過や使用によって劣化したり、読み取り時にエラーが発生したりすることを心配することなく、安心してデータを管理・利用できます。データの信頼性はストレージにとって最も基本的な要素の一つであり、この機能はその基盤を支えています。
SSDの状態を常に監視し、故障の兆候を検知する機能です。これにより、故障が発生する前にユーザーに通知し、データのバックアップなど、事前に対策を行うことができます。大切なデータを失うリスクを減らせます。
自己診断機能は、SSD自身の健康状態や寿命に関わる情報を監視し、異常の兆候をユーザーに通知するための機能です。S.M.A.R.T.(Self-Monitoring, Analysis, and Reporting Technology)情報として提供されることが多く、総書き込み量、温度、不良ブロックの数など、SSDの様々なパラメータを記録・分析します。本製品はS.M.A.R.T.に対応しており、Samsung Magicianソフトウェアなどのツールを使用することで、これらの情報を確認できます。これにより、SSDが故障する前にその予兆を把握し、データのバックアップを行うなど、事前に対策を講じることが可能になります。大切なデータを失うリスクを減らす上で、非常に有用な機能です。
SHOPSTAFFによる評価スコア
スタッフ評価は全体的に非常に高く、平均スコアは4.7点と高評価を得ています。特にPCIe Gen3 SSDとしての速度性能と、Samsungブランドの信頼性が高く評価されています。発売から時間が経過しているモデルですが、現時点でもその性能は多くの用途で十分通用し、安定した動作が報告されています。耐久性を示すTBWの値も高めであり、長期間の使用にも適しています。上位のPCIe Gen4 SSDと比較すると絶対的な速度は劣りますが、Gen3環境ではトップクラスのパフォーマンスを発揮します。価格も手頃になっており、コストパフォーマンスに優れた選択肢と言えます。
ブランド・メーカー詳細
おすすめのポイント
- PCIe Gen3接続で実現する高速な読み書き性能
- 優れたコストパフォーマンス
- Samsungブランドの高い信頼性と長期5年保証
- 専用ソフトウェア「Samsung Magician」による手厚いサポート
注意点
- 接続にはM.2スロット(Key M)とPCIe NVMe接続に対応したマザーボードが必要です。
- MacBookなど一部の古いノートPCに搭載するには、物理的な変換アダプターが必要となる場合があります。
- 高負荷時の発熱に注意が必要です。長時間連続して書き込みを行う場合は、PCケース内のエアフロー改善やM.2ヒートシンクの取り付けを検討してください。
おすすめな人
- PCIe Gen3対応PCのシステムドライブやゲーム用ストレージを高速化したい人
- 大容量のデータを頻繁に扱うクリエイティブ作業を行う人
- 信頼性のある大手メーカーのSSDを選びたい人
- コストを抑えつつ高性能なストレージを求めている人
おすすめできない人
- 最新のPCIe Gen4対応SSDの最高速度が必須なユーザー
- M.2スロット(Key M)やPCIe NVMe接続に非対応な古いPCを使用している人
おすすめの利用シーン
- OSや主要アプリケーションの起動ドライブとして、高速なPC環境を構築したい場合
- ゲームのインストール先として、ロード時間を短縮したい場合
- 動画編集や写真現像など、大容量ファイルの高速アクセスが必要な作業を行う場合
- 仮想マシンのストレージとして、快適な動作環境を構築したい場合
非推奨な利用シーン
- PCIe Gen4x4接続が必須となる最新のマザーボード環境
- SSD本体の発熱対策が全く施されていない、エアフローの極端に悪い小型PCケース内
よくある質問(Q&A)
Q.このSSDの読み書き速度はどのくらいですか?
Q.どのようなPCに対応していますか?特定のPCでの動作事例はありますか?
Q.SSDの取り付けやデータの移行は難しくないですか?
Q.保証期間はどのくらいですか?
Q.付属品や利用できるソフトウェアはありますか?
Q.発熱は気になりますか?
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CORSAIR
MP600 PRO LPX White PCIe Gen4 x4 NVMe M.2 SSD 1TB CSSD-F1000GBMP600PLPW
¥12,500(税込)2025-05-16 時点でのAmazonの価格です
CORSAIR MP600 PRO LPX Whiteは、PCIe Gen4に対応し、最大7100MB/sの高速読込を実現したM.2 SSDです。PS5のストレージ拡張にも最適で、薄型ヒートシンクを搭載し放熱性にも優れます。専用ソフトウェアで健康状態も監視可能です。
容量 | 1 TB | フォームファクター | M.2 Type 2280 |
インターフェース | PCI Express 4.0 x4(NVMe 1.4) | コントローラ | Phison PS5018-E18 |
メモリの種類 | 3D TLC NAND | 読込速度 | 7100 MB/s |
書込速度 | 5800 MB/s | 4KB ランダム読込 | 900000 IOPS |
4KB ランダム書込 | 1200000 IOPS | MTBF | 160万 時間 |
耐久性 | 700 TBW | 動作温度 | 0~70 ℃ |
消費電力(アクティブ読込) | 6.6 W | 消費電力(アクティブ書込) | 6.6 W |
消費電力(アイドル) | 5 mW未満 | 重量 | 41 g |
Samsung 990 EVO 1TBは、PCIe Gen4x4/Gen5x2互換のNVMe SSDです。最大読出5,000MB/秒、書込4,200MB/秒の性能で日常のPC作業を高速化。M.2 2280フォームファクタ、5年限定保証、TBW 600TBを備え、コストパフォーマンスに優れています。
容量 | 1 TB | フォームファクタ | M.2 2280 |
インターフェース | NVMe (PCIe Gen 4.0 ×4 および PCIe Gen 5.0 ×2) | シーケンシャル読込速度 | 5000 MB/s |
シーケンシャル書込速度 | 4200 MB/s | ランダム読込速度 | 700000 IOPS |
ランダム書込速度 | 800000 IOPS | NANDフラッシュタイプ | Samsung V-NAND TLC |
耐久性(TBW) | 600 TB | MTBF | 1500000 時間 |
Crucial T500は、PCIe Gen4 NVMe接続に対応した高速M.2 SSDです。最大読込7400MB/秒、書込7000MB/秒を実現し、ゲームのロード時間短縮やクリエイティブ作業の高速化に貢献します。PS5にも対応しており、ヒートシンク付きモデルも選べます。
容量 | 1 TB | フォームファクタ | M.2 2280 |
インターフェース | NVMe PCIe Gen 4 | シーケンシャル読込速度 | 7400 MB/s |
シーケンシャル書込速度 | 7000 MB/s | ランダム読込速度 | 1180000 IOPS |
ランダム書込速度 | 1440000 IOPS | NANDフラッシュタイプ | TLC NAND |
耐久性(TBW) | - TB | MTBF | - 時間 |
Western Digitalのゲーミング向けM.2 NVMe SSD。PCIe Gen4対応で最大5,150MB/sの高速転送を実現。ゲームや大容量データの処理を快適にします。
容量 | 1 TB | フォームファクタ | M.2 2280 |
インターフェース | NVMe PCIe Gen4 x4 | シーケンシャル読込速度 | 5150 MB/s |
シーケンシャル書込速度 | 4900 MB/s | ランダム読込速度 | 740000 IOPS |
ランダム書込速度 | 800000 IOPS | NANDフラッシュタイプ | BiCS FLASH TLC |
耐久性(TBW) | 1200 TB | MTBF | 1500000 時間 |
Samsung 990 EVO Plus 1TB 内蔵SSD。PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2対応、最大読出7,150MB/s、書込6,300MB/sの高速転送。M.2(2280)フォームファクタ。5年保証。
容量 | 1 TB | フォームファクタ | M.2 2280 |
インターフェース | NVMe PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 | シーケンシャル読込速度 | 7150 MB/s |
シーケンシャル書込速度 | 6300 MB/s | ランダム読込速度 | 850000 IOPS |
ランダム書込速度 | 1350000 IOPS | NANDフラッシュタイプ | Samsung V-NAND TLC |
耐久性(TBW) | 600 TB | MTBF | 1500000 時間 |