
ORICO J10 SSD 1TB NVMe1.4 M.2 Type 2280 PCIe Gen3×4
の評価
商品概要
ORICO J10 1TB SSDは、PCIe Gen3x4 NVMe接続を採用したM.2 2280フォームファクタの内蔵SSDです。純正の3D NANDフラッシュメモリ技術を使用し、低消費電力とコストパフォーマンスを両立させています。公称最大読み取り速度3100MB/s、最大書き込み速度1900MB/sで、SATA SSDやHDDからのアップグレードによりPCの起動やアプリケーションのロード時間を大幅に短縮できます。ECC、S.M.A.R.T.、不良ブロック管理、RAID、LDPC、TRIMなどの機能を搭載し、データの信頼性と保護を強化しています。ノートPC、デスクトップ、オールインワンPCなど幅広いデバイスに対応し、外付けSSDとしても活用可能です。効率的な放熱のためのアルミ合金製ヒートシンクが付属します。メーカーによる5年間の限定保証が付いています。
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商品スペック
サイズ・重量
機能一覧
SSDの温度が上がりすぎると、性能が低下したり故障の原因になることがあります。この機能は、SSD内部の温度を監視し、温度が一定以上になると自動的に速度を調整して、SSDを熱から保護します。これにより、SSDを長く安心して使い続けることができます。
製品情報には、温度監視機能やサーマルスロットリング機能についての直接的な言及はありません。しかし、付属のヒートシンクによる冷却性能向上がアピールされており、温度上昇による性能低下を物理的に抑制することを意図していると考えられます。一般的なNVMe SSDには温度保護機能が搭載されていることが多いですが、本製品にその機能があるかは製品情報からは確認できません。発熱対策としてヒートシンクが付属している点は評価できます。
SSDには、データの読み書きを行うための領域が限られています。この機能は、SSD内のデータが均等に書き込まれるように制御することで、特定の場所に負担がかかるのを防ぎ、SSD全体の寿命を長く保ちます。これにより、SSDをより長く安心して使うことができます。
製品情報にウェアレベリング機能についての直接的な記述はありません。SSDの耐久性を向上させるために重要な機能の一つですが、本製品に搭載されているかを確認することはできませんでした。不良ブロック管理については言及があるため、基本的なフラッシュメモリ管理機能は備えていると考えられますが、ウェアレベリング機能の有無や性能については不明です。
パソコンの電源が急に切れたり、不意なシステムエラーが発生した場合、書き込み中のデータが破損することがあります。この機能は、書き込み中のデータを一時的に保護し、不意な電源断やシステムエラーが発生しても、データ破損のリスクを低減します。これにより、大切なデータを守ることができます。
製品情報には、データの保護と完全性を確保するためにECC技術、RAID、LDPC機能、TRIMなどの機能が搭載されていると記載されています。ECC (Error Correction Code) はデータの読み書き時に発生するエラーを検出し訂正する技術、LDPC (Low-Density Parity Check) はより高度なエラー訂正技術です。RAID機能は通常複数のドライブで構成するものですが、ここではSSD内部でのデータ冗長性確保に関連する技術を指している可能性があります。これらの技術により、不意の電源断やデータ破損のリスクを低減し、大切なデータを守るための基本的なデータ保護機能は備わっていると言えます。
SSDは、使用しているうちに書き込み速度が低下することがあります。この機能は、使用されていない領域を整理し、SSDの性能を維持します。これにより、SSDの書き込み速度の低下を抑え、快適な動作を維持することができます。
製品情報にTRIM機能が搭載されていると記載されています。TRIMコマンドは、OSがSSDに不要になったデータの領域を通知することで、SSD内部のコントローラーがその領域を事前に消去しておくことを可能にします。これにより、次にデータを書き込む際の処理を効率化し、SSDの書き込み速度の低下を抑え、性能を維持するガベージコレクション処理に貢献します。したがって、基本的なガベージコレクション関連の機能は備わっていると考えられます。
SSDに保存されたデータは、読み取り時にエラーが発生することがあります。この機能は、読み取りエラーを自動的に検出し、データを修正します。これにより、データ破損によるトラブルを防ぎ、安心してデータを利用できます。
製品情報には、ECC技術とLDPC機能が搭載されていると明記されています。ECC (Error Correction Code) は、データの読み出し時に発生するビットエラーを検出し、自動的に訂正する機能です。LDPC (Low-Density Parity Check) は、ECCよりも強力なエラー訂正能力を持つ技術で、特に高密度化が進むNANDフラッシュにおいてデータの信頼性を保つために重要です。これらの機能により、SSD内部で発生するデータの読み出しエラーを防ぎ、データの整合性を保つためのエラー訂正機能は備わっています。
SSDの状態を常に監視し、故障の兆候を検知する機能です。これにより、故障が発生する前にユーザーに通知し、データのバックアップなど、事前に対策を行うことができます。大切なデータを失うリスクを減らせます。
製品情報には、S.M.A.R.T.機能が搭載されていると記載されています。S.M.A.R.T. (Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology) 機能は、SSDの内部状態(温度、書き込み回数、エラー率など)を監視し、潜在的な問題を検出・報告するための機能です。これにより、SSDの故障を予測したり、健康状態を確認したりすることが可能になります。ユーザーは専用のソフトウェアなどを利用してS.M.A.R.T.情報を参照することで、SSDの寿命や異常の兆候を把握し、事前にデータのバックアップなどの対策を講じることができます。
SHOPSTAFFによる評価スコア
ORICO J10 SSDは、PCIe Gen3x4接続のM.2 NVMe SSDとして、特にコストパフォーマンスを重視するユーザーに適しています。公称最大読み取り速度は3100MB/sとGen3としては標準的ですが、最大書き込み速度は1900MB/sと、同世代の高性能モデルと比較すると控えめな数値です。スタッフのレビューでも、「速度はイマイチ?」という意見が見られる一方、「コスパ最強」「値段よし」といった評価が多く、価格に対して十分な性能が得られる点が評価されています。日常的な作業や旧PCのアップグレード用途であれば快適性の向上が期待でき、多くの場合で問題なく動作するという声があります。メーカーは5年保証を提供しており、この価格帯としては安心感があります。ただし、ヘビーユースにおける性能や耐久性については、上位モデルには及ばない可能性があります。
ブランド・メーカー詳細
おすすめのポイント
- 圧倒的なコストパフォーマンス
- 旧型のHDDやSATA SSDからの換装による大幅な速度向上
- 高性能シリコンフィルムとアルミ合金冷却ベストによる放熱対策
- 5年間のメーカー保証
注意点
- 公称書き込み速度が上位モデルと比較して低めであること(特に大容量データの連続書き込み時)
- 付属ヒートシンクのサイズが大きく、マザーボードやグラフィックボードと干渉する可能性がゼロではない点
- 新しいハードディスクとして使用する前にOS上で初期化が必要であること
- マザーボードやOSとの互換性により、稀にフォーマット時にエラーが発生する可能性がある点
- 容量の計算単位(10進法 vs 2進法)により、実際の使用可能容量が見かけ上少なくなること
おすすめな人
- PCの起動速度やファイルアクセス速度を改善したいユーザー
- HDDやSATA SSDを使用している旧型PCのアップグレードを検討しているユーザー
- PC愛好家、学生、ビジネスオフィスワーカーなど、一般的な用途でPCを使用するユーザー
- コストを抑えてNVMe SSDの速度を体験したいユーザー
- DIYでポータブル外付けSSDを構築したいユーザー
おすすめできない人
- プロレベルの動画編集や大容量データの頻繁な書き込みを行うクリエイター
- 最新ゲームを高画質・高フレームレートでプレイし、ロード時間を極限まで短縮したいヘビーゲーマー
- システムドライブとして、最も高い性能と信頼性を求めるユーザー
- マザーボードのM.2スロット周辺のスペースが極端に限られているユーザー
おすすめの利用シーン
- 日常的なPC作業(ウェブ閲覧、文書作成、表計算)
- OSや主要アプリケーションのインストール先(システムドライブとして)
- ゲームのインストール先(ロード時間の短縮)
- 写真や動画などのデータ保存先(セカンダリドライブとして)
- 古いPCの延命・高速化
非推奨な利用シーン
- プロフェッショナルな高負荷クリエイティブワークステーション
- 大規模データベースサーバーのストレージ
- 厳密なリアルタイム処理を必要とするシステム
- 長時間の連続的な高負荷書き込みが必要な用途
よくある質問(Q&A)
Q.容量が1TBとありますが、PCで表示される容量がそれより少ないのはなぜですか?
Q.どのようなPCやOSで使えますか?
Q.速度はどのくらいですか?他のSSDと比べて速いですか?
Q.発熱は大丈夫ですか?ヒートシンクは必要ですか?
Q.保証はありますか?
Q.新しく取り付けたのにPCで認識されません。どうすればいいですか?
Q.どのような用途におすすめですか?
Q.このSSDの特徴は何ですか?
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CORSAIR
MP600 PRO LPX White PCIe Gen4 x4 NVMe M.2 SSD 1TB CSSD-F1000GBMP600PLPW
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CORSAIR MP600 PRO LPX Whiteは、PCIe Gen4に対応し、最大7100MB/sの高速読込を実現したM.2 SSDです。PS5のストレージ拡張にも最適で、薄型ヒートシンクを搭載し放熱性にも優れます。専用ソフトウェアで健康状態も監視可能です。
容量 | 1 TB | フォームファクター | M.2 Type 2280 |
インターフェース | PCI Express 4.0 x4(NVMe 1.4) | コントローラ | Phison PS5018-E18 |
メモリの種類 | 3D TLC NAND | 読込速度 | 7100 MB/s |
書込速度 | 5800 MB/s | 4KB ランダム読込 | 900000 IOPS |
4KB ランダム書込 | 1200000 IOPS | MTBF | 160万 時間 |
耐久性 | 700 TBW | 動作温度 | 0~70 ℃ |
消費電力(アクティブ読込) | 6.6 W | 消費電力(アクティブ書込) | 6.6 W |
消費電力(アイドル) | 5 mW未満 | 重量 | 41 g |
Samsung 990 EVO 1TBは、PCIe Gen4x4/Gen5x2互換のNVMe SSDです。最大読出5,000MB/秒、書込4,200MB/秒の性能で日常のPC作業を高速化。M.2 2280フォームファクタ、5年限定保証、TBW 600TBを備え、コストパフォーマンスに優れています。
容量 | 1 TB | フォームファクタ | M.2 2280 |
インターフェース | NVMe (PCIe Gen 4.0 ×4 および PCIe Gen 5.0 ×2) | シーケンシャル読込速度 | 5000 MB/s |
シーケンシャル書込速度 | 4200 MB/s | ランダム読込速度 | 700000 IOPS |
ランダム書込速度 | 800000 IOPS | NANDフラッシュタイプ | Samsung V-NAND TLC |
耐久性(TBW) | 600 TB | MTBF | 1500000 時間 |
Crucial T500は、PCIe Gen4 NVMe接続に対応した高速M.2 SSDです。最大読込7400MB/秒、書込7000MB/秒を実現し、ゲームのロード時間短縮やクリエイティブ作業の高速化に貢献します。PS5にも対応しており、ヒートシンク付きモデルも選べます。
容量 | 1 TB | フォームファクタ | M.2 2280 |
インターフェース | NVMe PCIe Gen 4 | シーケンシャル読込速度 | 7400 MB/s |
シーケンシャル書込速度 | 7000 MB/s | ランダム読込速度 | 1180000 IOPS |
ランダム書込速度 | 1440000 IOPS | NANDフラッシュタイプ | TLC NAND |
耐久性(TBW) | - TB | MTBF | - 時間 |
Western Digitalのゲーミング向けM.2 NVMe SSD。PCIe Gen4対応で最大5,150MB/sの高速転送を実現。ゲームや大容量データの処理を快適にします。
容量 | 1 TB | フォームファクタ | M.2 2280 |
インターフェース | NVMe PCIe Gen4 x4 | シーケンシャル読込速度 | 5150 MB/s |
シーケンシャル書込速度 | 4900 MB/s | ランダム読込速度 | 740000 IOPS |
ランダム書込速度 | 800000 IOPS | NANDフラッシュタイプ | BiCS FLASH TLC |
耐久性(TBW) | 1200 TB | MTBF | 1500000 時間 |
Samsung 990 EVO Plus 1TB 内蔵SSD。PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2対応、最大読出7,150MB/s、書込6,300MB/sの高速転送。M.2(2280)フォームファクタ。5年保証。
容量 | 1 TB | フォームファクタ | M.2 2280 |
インターフェース | NVMe PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 | シーケンシャル読込速度 | 7150 MB/s |
シーケンシャル書込速度 | 6300 MB/s | ランダム読込速度 | 850000 IOPS |
ランダム書込速度 | 1350000 IOPS | NANDフラッシュタイプ | Samsung V-NAND TLC |
耐久性(TBW) | 600 TB | MTBF | 1500000 時間 |